YAGEO國巨推出抗?jié)?、抗硫特性的氮化鉭薄膜、高精度電阻 - NT系列
瀏覽次數(shù):466
|
發(fā)布日期:2023-11-10
全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團(tuán),推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。
NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽?、高精密度、高穩(wěn)定表現(xiàn)的特性,外殼尺寸從0402到1206 ,電阻范圍為100Ω-481KΩ,具有±0.1%、±0.25%、±0.5%及±1 %的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低溫度特性(TCR),額定功率值為1/20 W-2/5 W。
NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽?、高精密度、高穩(wěn)定表現(xiàn)的特性,外殼尺寸從0402到1206 ,電阻范圍為100Ω-481KΩ,具有±0.1%、±0.25%、±0.5%及±1 %的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低溫度特性(TCR),額定功率值為1/20 W-2/5 W。
NT系列擁有自生成鈍化層,形成不透濕的介面使其包覆性的覆蓋電阻,因此水氣不易從外部滲入。多了鈍化層的保護(hù),使得NT系列能在嚴(yán)苛的環(huán)境始終保持電阻的高穩(wěn)定性,適用于醫(yī)療、航太、電信通訊、工業(yè)、測試和量測領(lǐng)域。
特色及可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)
符合AEC-Q200車用標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)異地抵抗含硫與高濕度環(huán)境
高精度和穩(wěn)定性
低溫度特性(TCR)及低電噪聲
高/低溫循環(huán)試驗(yàn): ΔR/R ±0.1%
抗硫化試驗(yàn)(105°C, 750小時(shí)硫化測試環(huán)境): ΔR/R ±2%
壽命/耐久度試驗(yàn)(70°C):ΔR/R ±0.1%
高溫高濕試驗(yàn) (85°C/85% RH): ΔR/R ±0.1%